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Projet de tranche DRAM de 12 pouces Hefei Changxin

1 year ago
By Giulia Magnesa
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Projet de tranche DRAM de 12 pouces Hefei Changxin

Le projet de tranche DRAM de 12 pouces de Hefei Changxin, soutenu par un investissement de 2,39 milliards de dollars, est la première installation de production de DRAM entièrement détenue par des Chinois. Ce projet pionnier, situé dans la province de l’Anhui, vise à produire 125 000 tranches par mois, renforçant la position de la Chine dans l’industrie électronique mondiale.

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Created Date: 28 May 2024
Last Updated Date: 28 Mar 2025
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  • Tranche DRAM Hefei Changxin Technologies de mémoire Semi-conducteurs en Chine Industrie électronique Projet 506 Investissements technologiques Production de semi-conducteurs Superpuissance électronique SCADA

Created on: 28 May 2024 Last update: 28 Mar 2025